全球首款超过200层固态存储芯片问世：密度大幅提高43%，性能翻倍

本年晚些时候，西部原始数据的研究职员在 IEEE 国际固态电阻就会议上展示了一款 QLC 显卡，在 162 层显卡中做到了 15 Gb/mm_2 的面高密度。Kioxia（铠侠）的扩建工程师上个月在 IEEE 超大规模集成电阻技术开发和电阻讨论就会上还展示了一个每静态 7 比特的商品，但它需要将显卡嵌入 77 开尔文（-196 摄氏度）的液氮中。可选择这种温度异常低的环境，是为了降低原始数据打字信道。

半导体的公司早就推广 232L NAND 作为 176L NAND 的全栈替代品——该的公司认为新商品适用于从移动和云端到 PC 和原始高容量大商品的所有应用领域。半导体的公司称之为，最初 NAND 并未开始交付特定零售商，首先是自家 Crucial 英睿达 SSD 商品，本年晚些时候新商品将大幅度降低总产量，几个月后，我们就可以在消费市场上看着新版 SSD 固态芯片了。

半导体的公司迄今没有宣布任何最初 Crucial 商品，这或许显然 Crucial 将在这两项商品中地面部队最初 NAND，因此人们需要关注新商品的性能表现。

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