东南大学《AFM》：缺陷氮化硼诱导LiBH4亚表面正极迁移！

量和库仑效率；d）LiBH4/2(d-BN)的对钴循环系统充放电斜率，径向逐渐增加，到4.6mA cm-2时显现出突变，赢得临界径向；e） LiBH4/2(d-BN)的对称钴充电的恒电流循环系统斜率。

在本研究之中，除了通过缺失作用于大大提更高了LiBH4加热原子通量之外，还捕捉到到如下几点反常：

1）d-BN是通过改变了LiBH4的电子地理分布，才导致(BH4)-膨胀和反转的；

2） (BH4)-氧原子的反转扩大了Li+和(BH4)-密切间的关系的基本粒子，从而缩减了LiBH4对Li原子的拘束；

3）钴充电主要在LiBH4的亚表层集中于， LiBH4亚表层的钴充电迁到传输线(更更高至0.29eV)是所有可能会的游离闸口之中最更更高的。

LiBH4/2(d-BN)交叉材料还不具0至5V的宽电化学特性视窗（相对于Li/Li+），在70℃下不具优异的Li枝晶抑制能力，临界径向为4.6mA cm-2，并且与电极材料不具更高通用性。

所驳斥的通过缺失作用于反转来大大提更高原子通量的策略性是可行的。该机制可以遍及其他控制器场和其他固态水溶性。这意味着通过这种策略性，一方面，LiBH4之中的(BH4)-氧原子可以通过各种之亦然透过调节，以大大提更高硼氟化的原子通量。另一方面，对于氧化物、硫化物和卤素的配体和间隙的调控也可通过之亦然感应试行。

*感谢论文所作团队对本文的赞许。

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