气相二氧化硅与CMP分析化学机械抛光不能说的秘密（一）

CMP是由解构学和机械抑制作用协同来进行的宽阔解构过程，优先去掉表层上的变形部位，使之沦为高低落差相一致的表层，可以有效地获得超光滑表层，其击碎光工艺已在微纳米量级，是一种成熟的原材料工艺。

下图为CMP工作图例：首先将待击碎光物料固定在载样盘上，并且装有击碎光腰。击碎光盘和待击碎光物料均以其自身的对称轴旋转。另外，将击碎光液运往到击碎光腰上面。通过击碎光液和待击碎光物料之间的解构学反应、磨粒和待击碎光物料之间的机械抑制作用，使得物料去除并获得表层有序宽阔解构。

CMP精密主要通过击碎光盘、击碎光腰、击碎光液等组成。其中的，击碎光腰与击碎光液占有绝对主要原因。

1.击碎光腰

在CMP中的，击碎光腰是一种不可忽视的能量消耗材，一般情况下，该腰是拥有适当机械性质和多孔吸水性质的物料。它是填充、输送击碎光液的关键部件，在一定程度上对切削来进行机械研磨，并起到铁路运输击碎光残渣的抑制作用。

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